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アモルファス・シリコン(a-Si)、化合物(CIGS)系、色素増感、有機薄膜などの太陽電池、及びタッチパネル等のFPDに使用される透明電極(ITO、FTO)、金属電極、太陽電池の発電層(a-Si等)のパターンをレーザを用いてスクライビング加工するための装置です。 独自の特殊光学技術を駆使した“トップハットビーム”と自動装置化のノウハウを融合し、均一且つ超精密なスクライブ・ラインを可能にしています。
画像処理技術を用いた位置決めも加工精度に大きく寄与しています。 タクトの短縮は言うまでも無く、加工におけるお客様の優先ファクターに応じて適確な(ソリューション)装置をご提供いたしております。

| 仕 様 |
型 式 | ML-SC58 シリーズ |
| スクライブ幅 | 最小30μm 〜 |
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| 対象基板寸法 | 100×100 〜 1200×1600 (mm) (その他のサイズにも対応出来ますのでご相談下さい。) |
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| レーザ種類 | 基本波レーザ、SHGレーザ |
ハイブリッドIC(HIC)や実装基板上にある抵抗体をレーザでトリミングすることにより、電気特性を調整するファンクショントリミング装置です。

【ワーク投入口】
| 仕 様 |
型 式 | MS-TR2873(チップ抵抗トリミング用) MS-TR4873(ファンクショントリミング用) |
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| トリミング範囲 | □80mm (※光学系条件により最適な物をご提供申し上げます。) |
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| XYステージ | ACサーボ駆動(オプション:フルクローズド制御 X軸ストローク:130mm Y軸ストローク:300mm 位置分解能 5μm 位置再現性 ±5μm) |
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| プローブユニット | プローブガード上下 |
オプション:両面プロービング | |
| DCユニット | 32CH |
256CHまで増設可 | |
| 抵抗測定範囲 | 0.01Ω〜1GΩ |
20ms/16.7ms(高精度モード) 5μs(高速モード) |
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| オプション | ・θテーブル ・両面プロービング ・カメラ増設 ・パワーメータ ・XYステージフルクローズド制御 ・プローブガード ・DCスキャナ増設 |
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本装置はデバイスへのダメージが少ないSHGレーザを搭載。ウエハ照射面で、ほとんどレーザ光が吸収されることで、回路面へのダメージを大幅に低減します。対応ウエハは6、8、12インチ(150、200、300mm)のウエハサイズに対応。
ガルバノスキャナーはフルデジタル式を採用し、高精度のマーキングを実現します。
また、空冷タイプ(LD励起式)のレーザマーカを搭載し、メンテナンスが容易で、ランニングコストを低減します。ウエハの反り対策として、ガラス吸着ステージやオートフォーカス機能オプションが御座います。
その他、レーザのパワーフィードバックやID読み取り等、豊富なオプションも取り揃えております。
【操作画面】
【ウエハサンプル】 【ブラックマーキング】 【ホワイトマーキング】
(ヘアラインを溶融) (強めのパルスで蒸発)
| 仕 様 |
型 式 | MS-WL-6891(6〜8インチ対応) MS-WL-8291(8〜12インチ対応) |
| 装置寸法 | 2200(W)×1763(D)×1800(H) mm (1600kg) | |
| 対象ウェハサイズ | 12インチ: FOUP × 1 8インチ : 全自動 (オープンカセット) × 1 6インチ : 半自動 (テーブルへのマニュアルセット) |
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| 厚み/反り | 0.3〜2mm (オプション〜6mm) | |
| マーキング検査 | 自動 (白/黒 対応) | |
| マーキング位置精度 | ±50μm以内 | |
| マーキングの仕様 | ホワイト/ブラック マーキング |
主に薄膜太陽電池の加工に使用され、基板の外周(4辺の縁部)の全層を除去し、電気的に絶縁する装置です。
サンドブラストと比較し @マスキング工程不要、A洗浄工程不要、Bマイクロクラックの可能性が非常に小さい、C日常の消耗品の削減、といった点で非常にコストエフェクティブです。
世界的に見て急速にレーザによる装置に置き換わっており、コストパフォーマンスを見直される際に検討すべきアイテムです。
矩形 “トップハット”ビームによりラップ率を抑えた加工の美しい、高速デリーションが可能。
スループットが短時間である事は言うまでも無く、加工におけるお客様の優先ファクターに応じて適確な装置をご提供いたしております。 なお、単結晶・多結晶・タンデム式などの結晶系(バルク)シリコン太陽電池のエッジアイソレーション用についてもご提供できます。

| 仕 様 |
使用レーザ | 基本波レーザ |
| 対象パネルサイズ(最大) | 1,400 x 1,100mm | |
| ビーム走査方法 | ガントリーステージまたはガントリーステージとスキャナの併用 | |
| デリーション後の抵抗値 | > 2,000MΩ @ 250VC | |
| デリーション速度 | 最高2,500mm/秒 |
(上記仕様はデモ機のもので、実際の装置はお客様のワークサイズ、材質により最適な仕様でご提供申し上げます。)
本装置は、FPD(LCD、PDP)基板や薄膜太陽電池などで使用する素ガラスへ「トレサビリティ」や「工程管理」を目的とした2Dコードや文字をガラス内面へマーキングを行う装置です。
SHGレーザまたはTHGレーザによる、ガラス内面のインナーマーキングであり、パーティクルが全く発生しないクリーンなマーキングとなります。
本システムは、上流からコンベア搬送される基板を当装置のコンベアで受け取り、マーキング(2Dコード&文字)と2Dコード読取を行い、下流コンベアへ搬出いたします。
また、2台の主要コンポーネントによる同時並列処理により、基板の位置決めや基板への2Dコード・文字列のマーキング、2Dコードの読取照合、基板の搬入出等の一連動作を行います。

| 仕 様 |
レーザ種類 | SHGレーザまたはTHGレーザ |
| マーキング範囲 | Φ30mm | |
| スポット径 | Φ5μm | |
| 対象基板 | サイズ:〜第8世代基板、厚み:0.7mm 〜 | |
| タクトタイム | 50秒(第8世代基板の4面取り単板を2ヘッドで処理した場合) | |
| マーキング位置精度 | 200μm | |
| 上下流装置 | コンベア | |
| 焦点合わせ | オートフォーカス |
透明ガラスの表面、又は裏面に形成された薄膜をレーザにより除去し、文字・二次元コード等の
IDのマーキングを行う装置です

| 仕 様 |
対象基板寸法 | 〜第8世代(厚み0.4×1〜1.1×2mm) |
| タクトタイム | 200s(G8、30面取り、2ヘッドの場合) | |
| マーキング位置精度 | 80μm | |
| 上下流装置 | コンベア又はロボット | |
| 装置寸法 | 3000(W)×6500(D)×3000(H)mm (第8世代の場合) |

各種ウエハ(シリコンウエハ、サファイア基板、化合物ウエハ)に文字や、
二次元コード等のIDのレーザマーキングを行う装置です。
・ソフトマーキング : SHGレーザ使用
シリコンウエハの表面のみを溶融させるので、マーキング時に
パーティクルが発生しません。(無発塵マーキング)
・ハードマーキング : 基本波レーザ使用
シリコンウエハ表面を掘り下げるマーキングです。
深掘りマーキングのため、パーティクルが発生しますが、
視認性に優れており、洗浄・研磨後にも認識可能です。
【ホワイトマーキング】 【ブラックマーキング】
φ70μm 深さ2.5μm φ60μm 深さ100μm
【装置内部】 【操作画面】
※クリックすると拡大画面が見られます。
| 仕 様 |
対象ウエハサイズ |
12インチ(2カセットFOUP)4、5、6、8インチ対応可能 |
| マーキングの仕様 | ソフト/ハードマーキング |
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| マーキング位置精度 | ± 200μm(オプション±75μm) | |
| タクトタイム | 150WPH(5×9ドット、12文字) |
JEDECトレイに収納されたICパッケージにレーザマーキングする装置です。

| 仕 様 |
対象パッケージ | TSOP,TSSOP,TQFP,BGA,CSP,WL-CSP |
| 装置寸法 | 2000(W)×1440(D)×1750(H) mm | |
| ローダアンローダ | JEDECトレイ各20枚 | |
| 集塵機能 | 装置内蔵 | |
| 画像検査機能 | 前認識、後認識有り(総裁についてはご相談要) | |
| バーコード | ロット管理機能(標準) | |
| 管理サーバ連携 | オプションにて対応可 |
ダイシングテープに貼られたダイシング済みIC(CSP/WL−CSP)パッケージをピックアップし 半田ボール、パッケージの外観検査とマーク検査等、各種テストを行いエンボステープに収納する装置です。
| 仕 様 |
対象パッケージ | CSP、WL-CSP |
| 対象パッケージサイズ | 0.6mm〜6.0mm | |
| タクトタイム | 0.5〜0.9sec/個 | |
| 対象ウェハサイズ | 5〜8インチ | |
| 装置寸法 | TSM-X : 1340(W)×1315(D)×1800(H) mm TRH : 1850(W)×1220(D)×1750(H) mm |
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| テープ幅対応 | ウェハマガジン(25段) | |
| スポット除電機能 | 各幅対応はチェンジキットにて対応 | |
| バーコード | 静電気対策(オプション) | |
| NG分類 | ロット管理機能(オプション) | |
| トレイユニット対応 | トレイへの分類 | |
| ディテーピング機能 | 対応可(オプション) | |
| スパイラルリール | 対応可(オプション) |
レーザ光により、ICのモールド樹脂パッケージのダムバリ、ゲートバリ、フラッシュバリ等を除去する装置です。
| 仕 様 |
装置寸法 | 約1200(W)×1800(D)×1600(H) mm |
| レーザ種類 | 基本波レーザ:厚バリ SHGレーザ:薄バリ |
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| 集塵機 | 風量3.5m3/min、静圧1.76kPa レーザ照射面付近に集塵用ダクト設置 |
ハードディスク自動組立装置等で長年培った技術は精密部品の洗浄や、精密位置決め技術等を駆使し、様々な部品の組立や電子部品等の実装技術に活かされています。

製作実績 |
HDD自動組立ライン |
| プリズム搭載装置 | |
| 電子ペーパー組立ライン | |
| 洗浄装置 | |
| 半導体後加工装置 | |
| 点火プログコイル組立装置 | |
| パワステ用バルブ組立装置金型技術 | |
| ABSバルブ自動組立装置 | |
| ワイパーブレード次号組立ライン |
モータの供給から抵抗溶接機によるヒュージング、モータの搬出まで、一連の工程を全自動で行なう装置です。

| 仕 様 |
対象モータ寸法 | コア径ø30mm以上のモータ |
| タクト | 78s(30セグメントの場合) | |
| 上下流装置 | ロボット | |
| 装置寸法 | 1000(W)×700(D)×1600(H)mm |

コンパクティング装置は、撚り線の端末を加熱・加圧成型して固めます。
ハーネス等の端子と撚り線の接合時にばらけないで接合ができます。
撚り線を加熱しカシメている様子
【アプリケーション】

銅撚り線の端末例 1.25sq 銅(Snメッキ)の端末例 ハーネス端子との接合例
※コンパクティングの後工程
Liイオンバッテリーなどの二次電池の缶のシール溶接や集電用外部端子の溶接装置です。
※装置詳細は弊社営業マンまでお問い合せ下さい。
角形電池ケース封止レーザ溶接装置 特長
電池防爆弁レーザ溶接装置 特長